|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 50 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Kinetics of selective epitaxial growth of Si and relaxed Ge by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition in Si(001) windows |
| Auteur: |
Halbwax, M. Nguyen, Lam H. Fossard, Frédéric Le Roux, X. Mathet, V. Yam, V. Cao, Dao Tran Bouchier, D. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 9 (2006) nr. 4-5 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 50 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |