|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Germanium-doped Czochralski silicon: Oxygen precipitates and their annealing behavior |
| Auteur: |
Chen, Jiahe Yang, Deren Li, Hong Ma, Xiangyang Que, Duanlin |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 9 (2006) nr. 4-5 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |