|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 86 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep levels in Yb–Al co-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy |
| Auteur: |
Kaniewska, M. Krukovsky, S.I. Zayachuk, D.M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 9 (2006) nr. 1-3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 86 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |