|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Mechanism of void formation in TiN/AlSiCu/TiN/plasma-enhanced tetraethyl orthosilicate SiO2 multi-layer structures via high-temperature stress migration |
| Auteur: |
Naoe, Takuya Endoh, Hirohiko Fuchino, Fumihiro Miyata, Masanori Miyake, Hidetsugu Takahashi, Takuya Fujimoto, Takaaki |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 83 (2018) nr. C pagina's 239-248 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |