|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Hydrogen induced interface passivation in atomic layer deposited Al2O3 films and Al2O3/SiO2 stacks |
| Auteur: |
Li, Shizheng Yang, Ning Yuan, Xiao Liu, Cui Ye, Xiaojun Li, Hongbo |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 83 (2018) nr. C pagina's 171-174 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |