|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of high in-situ source/drain boron doping in p-FinFETs on physical and device performance characteristics |
| Auteur: |
Shintri, Shashidhar Yong, Chloe Zhu, Baofu Byrappa, Shayan Fu, Bianzhu Lo, Hsien-Ching Choi, Dongil Kolagunta, Venkat |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 82 () nr. C pagina's 9-13 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |