|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved device characteristics obtained in 4H-SiC MOSFET using high-k dielectric stack with ultrathin SiO2-AlN as interfacial layers |
| Auteur: |
Pavan Kumar Reddy, Vudumula Kotamraju, Siva |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 80 () nr. C pagina's 24-30 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |