|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 83 gevonden artikelen
| Titel: |
Atomically controlled Ge epitaxial growth on Si(100) in Ar-plasma-enhanced GeH4 reaction |
| Auteur: |
Sugawara, Katsutoshi Sakuraba, Masao Murota, Junichi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 8 (2005) nr. 1-3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 83 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |