|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 51 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Tunneling current characteristics by Al+N isoelectronic traps in Si-TFET; first-principles study |
| Auteur: |
Iizuka, Shota Asayama, Yoshihiro Nakayama, Takashi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 51 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |