|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 35 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate |
| Auteur: |
Yoshikawa, Isao Kurosawa, Masashi Takeuchi, Wakana Sakashita, Mitsuo Nakatsuka, Osamu Zaima, Shigeaki |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 35 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |