|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Comprehensive effects of strained Ge1−xSnx and device layout arrangement on a nano-scale Ge-based PMOSFET with a short channel |
| Auteur: |
Lee, Chang-Chun Huang, Pei-Chen |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |