|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of carbon coverage on Ge quantum dots formation on Si(100) using C-Si reaction and transition of Ge growth mode |
| Auteur: |
Yasuta, Kosuke Itoh, Yuhki Kawashima, Tomoyuki Washio, Katsuyoshi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |