|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Source-drain resistance characteristics of back-channel etched amorphous InGaZnO thin film transistors with TiO2:Nb protective layer |
| Auteur: |
Zhang, Letao Zhou, Xiaoliang Chang, Baozhu Wang, Longyan Xiao, Yuxiang He, Hongyu Zhang, Shengdong |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 68 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |