|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative studies of normally-off Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN/Si high electron mobility transistors with different gate structures |
| Auteur: |
Lee, Ching-Sung Hsu, Wei-Chou Liu, Han-Yin Chen, Si-Fu Chen, Yu-Chang Yang, Shen-Tin |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 66 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |