|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
TiSiOx gate dielectrics produced by reactive sputtering for high performance InGaZnO thin film transistors |
| Auteur: |
Fu, Yi-Zhou Li, Jun Zhao, Cheng-Yu Huang, Chuan-Xin Zhang, Jian-Hua Li, Xi-Feng Jiang, Xue-Yin Zhang, Zhi-Lin |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 61 (2017) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |