|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
MOVPE growth of Si-doped GaAs and Al x Ga1−x As using tertiarybutylarsine (TBA) in pure N2 ambient |
| Auteur: |
Huang, G.S. Tang, X.H. Zhang, B.L. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 6 (2003) nr. 4 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |