|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth and characterization of silicon oxide films formed in the presence of Si, SiC, and Si3N4 |
| Auteur: |
Li, Yaqiong Damoah, Lucas Nana Wiredu Zhang, Lifeng |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 54 (2016) nr. C pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |