|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Self-catalyzed molecular beam epitaxy growth and their optoelectronic properties of vertical GaAs nanowires on Si(111) |
| Auteur: |
Zhang, Lichun Geng, Xuewen Zha, Guowei Xu, Jianxing Wei, Sihang Ma, Ben Chen, Zesheng Shang, Xiangjun Ni, Haiqiao Niu, Zhichuan |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 52 (2016) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |