|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to ‘Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate’ [Mater. Sci. Semicond. Process. 42 (2016) 283–287] |
| Auteur: |
Lin, Tao Sun, Ruijuan Sun, Hang Guo, Enmin Duan, Yupeng Lin, Nan Ma, Xiaoyu Wang, Yonggang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 47 (2016) nr. C pagina's 1 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |