|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Photoreflectance investigation of band gap renormalization and the Burstein–Moss effect in Si doped GaN grown by MOVPE |
| Auteur: |
Bouzidi, M. Benzarti, Z. Halidou, I. Soltani, S. Chine, Z. EL Jani, B. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 42 (2016) nr. P2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |