|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
III–V nanocrystal formation in ion-implanted Ge and Si via liquid phase epitaxy during short-time flash lamp annealing |
| Auteur: |
Wutzler, Rene Rebohle, Lars Prucnal, Slawomir Hübner, René Facsko, Stefan Böttger, Roman Helm, Manfred Skorupa, Wolfgang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 42 (2016) nr. P2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |