|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Novel In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As metamorphic high electron mobility transistors on GaAs substrate with In x Ga1−x P graded buffer layers |
| Auteur: |
Yuan, K. Radhakrishnan, K. Zheng, H.Q. Yoon, S.F. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 4 (2001) nr. 6 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |