|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 78 gevonden artikelen
| Titel: |
Electromigration of Cu and Ti atoms and dopant junction profiles in the p+-Si implanted channel under high-density current |
| Auteur: |
Lin, H.H. Cheng, S.L. Chen, L.J. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 4 (2001) nr. 1-3 pagina's 245-247 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 78 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |