|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 105 van 112 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of high energy electron irradiation on the Schottky barrier height and the Richardson constant of Ni/4H-SiC Schottky diodes |
| Auteur: |
Omotoso, E. Meyer, W.E. Auret, F.D. Paradzah, A.T. Diale, M. Coelho, S.M.M. Janse van Rensburg, P.J. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 39 (2015) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 105 van 112 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |