|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
In-situ phosphorous-doped SiGe layer on Si substrate by reactive thermal chemical vapor deposition at low temperature |
| Auteur: |
Tao, Ke Wang, Jin Sun, Yun Jia, Rui Jin, Zhi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 38 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |