|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling the effect of deep traps on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates |
| Auteur: |
Sengouga, Nouredine Boumaraf, Rami Mari, Riaz H. Meftah, Afak Jameel, Dler Al Saqri, Noor Azziz, Mohsin Taylor, David Henini, Mohamed |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 36 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |