|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Temperature-dependent electrical properties of the sputtering-made n-InGaN/p-GaN junction diode with a breakdown voltage above 20V |
| Auteur: |
Anh Tuan, Thi Tran Kuo, Dong-Hau |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 32 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |