|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 96 van 96 gevonden artikelen
| Titel: |
Thin layer oxide in the drift region of Laterally double-diffused metal oxide semiconductor on silicon-on-insulator: A novel device structure enabling reliable high-temperature power transistors |
| Auteur: |
Mehrad, Mahsa |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 30 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 96 van 96 gevonden artikelen
| << vorige |