|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 92 van 96 gevonden artikelen
| Titel: |
The origin of forward bias capacitance peak and voltage dependent behaviour of gold/p-type indium phosphide Schottky barrier diode fabricated by photolithography |
| Auteur: |
Korucu, D. Duman, S. Turut, A. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 30 (2015) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 92 van 96 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |