|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 81 van 96 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on post-deposition annealing influenced contribution of hole and electron trapping to threshold voltage stability in organic field effect transistors |
| Auteur: |
N., Padma Sawant, Shilpa N. Sen, Shashwati |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 30 (2015) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 81 van 96 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |