|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
First principles calculations of hydrogen annealed amorphous SiO2 structures and Si/SiO2 interface for non volatile memories |
| Auteur: |
Courtot-Descharles, A Paillet, P Leray, J.L Musseau, O |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 3 (2000) nr. 1-2 pagina's 143-148 |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |