|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Numerical simulation of the response of substrate traps to a voltage applied to the gate of a gallium arsenide field effect transistor |
| Auteur: |
Sengouga, N. Meftah, Af. Meftah, Am. Henini, M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 24 (2014) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |