|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of a Ge layer on 8in. Si (100) substrates by rapid thermal chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Kil, Yeon-Ho Yang, Jong-Han Kang, Sukill Kim, Dae-Jung Jeong, Tae Soo Choi, Chel-Jong Kim, Taek Sung Shim, Kyu-Hwan |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 21 (2014) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |