|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
Calculation of hopping-conduction energy of holes in SiO2 based on molecular orbital theory |
| Auteur: |
Takemura, Yoshiaki Ushio, Jiro Maruizumi, Takuya Kubota, Katsuhiko Miyao, Masanobu |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 2 (1999) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |