|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 70 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of vacancy defects and hole doping on the electronic and magnetic properties of InTe monolayer: A first-principles study |
| Auteur: |
Van Ngoc, Hoang Ha, Chu Viet Guerrero-Sanchez, J. Hoat, D.M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 198 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 70 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |