|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Reduction of Ge MOS interface defects via Al2O3 or trimethylaluminum pre-doping combined with post-oxidation |
| Auteur: |
Mao, Xiaotong Li, Yan Luo, Huaizhi Liu, Haoyan Yang, Pengfei Zhang, Qingzhu Chai, Junshuai Zhao, Fei Li, Yongliang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 197 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |