|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Degradation mechanisms of p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors under power cycling tests |
| Auteur: |
Han, Yesen Pan, Chengbing Zheng, Xinyuan Ning, Yibo Li, Huiying Zhao, Lixia |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 196 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |