|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of resistive switching properties in reliable, forming-free RRAM devices based on amorphous Sm2Zr2O7 thin films |
| Auteur: |
Tai, Hsin-Ching Huang, Cheng-Liang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 195 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |