|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of triangle-like defect in 4H-SiC epitaxial layers on the electrical characteristics of SiC bipolar device |
| Auteur: |
Xu, Lei Yan, Hailiang Hong, Xindi Zhu, Tao Jin, Rui |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 195 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |