|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 57 gevonden artikelen
| Titel: |
Al2O3 growth on Ge by low-temperature (∼90 °C) atomic layer deposition and its application for MOS devices |
| Auteur: |
Aso, Taisei Kuwazuru, Hajime Wang, Dong Yamamoto, Keisuke |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 190 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 57 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |