|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 57 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of ion channelling on 350 keV proton implantation of 4H-SiC measured by D-SIMS and DLTS defect profiling |
| Auteur: |
Samperi, Orazio Azarov, Alexander Bobal, Viktor Bertolini, Mario Cantiano, Massimiliano Vines, Lasse Hallén, Anders Coffa, Salvo Fragalà , Maria Elena |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 190 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 57 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |