|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 92 van 145 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of the growth rate on optical and crystal quality of InGaAs/AlGaAs multi-quantum wells and InGaAs single layer grown by molecular beam epitaxy (MBE) |
| Auteur: |
Shang, Lin Liu, Simin Ma, Shufang Qiu, Bocang Yang, Zhi Feng, Haitao Zhang, Junzhao Dong, Hailiang Xu, Bingshe |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 185 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 92 van 145 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |