|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 44 van 145 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of the N-doping concentration on the formation of the wide carrot defect in 4H-SiC homoepitaxial layer grown by trichlorosilane (TCS) as silicon precursor |
| Auteur: |
Gu, Ning Yang, Junwei Song, Huaping |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 185 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 44 van 145 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |