|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 46 van 89 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved resistive switching characteristics observed in amorphous boron nitride-based RRAM device via oxygen doping: A study based on bulk and interface traps analysis |
| Auteur: |
Ahmad, Ibtisam Lee, Doowon Chae, Myoungsu Kim, Taegi Ali, Mohsin Kim, Hee-Dong |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 184 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 46 van 89 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |