|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 89 gevonden artikelen
| Titel: |
Dissociation of 1 3 < 10 1 ‾ 1 > misfit dislocation at the interface of α-Ga2O3 thin film deposited on m-plane sapphire |
| Auteur: |
Myasoedov, A.V. Pavlov, I.S. Morozov, A.V. Pechnikov, A.I. Stepanov, S.I. Nikolaev, V.I. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 184 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 89 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |