|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 33 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Origin and Recovery of Negative VTH Shift on 4H–SiC MOS Capacitors: An Analysis Based on Inverse Laplace Transform and Temperature-Dependent Measurements |
| Auteur: |
Marcuzzi, A. Avramenko, M. De Santi, C. Geenen, F. Moens, P. Meneghesso, G. Zanoni, E. Meneghini, M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 177 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 33 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |