|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 54 gevonden artikelen
| Titel: |
Ge1−x Sn x layers with x∼0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 °C and in-situ Sb doping |
| Auteur: |
Shibayama, Shigehisa Takagi, Komei Sakashita, Mitsuo Kurosawa, Masashi Nakatsuka, Osamu |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 176 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 54 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |