|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 54 gevonden artikelen
| Titel: |
Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method |
| Auteur: |
Tsuchida, Hidekazu Kanda, Takahiro |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 176 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 54 gevonden artikelen
| volgende >> |