|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate |
| Auteur: |
Kato, Masashi Watanabe, Ohga Harada, Shunta Sakane, Hitoshi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 175 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |