|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 61 van 66 gevonden artikelen
| Titel: |
Temperature-dependent capacitance-voltage characteristics of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with (001) epitaxial grown layer using MOCVD |
| Auteur: |
Vo, Thanh Huong Kim, Sunjae Kim, Hyeong-Yun Park, Ji-Hyeon Jeon, Dae-Woo Hwang, Wan Sik |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 173 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 61 van 66 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |